Информация о книге:
Аннотация:
Учебник содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, метод Фольмера–Вебера–Странского, Бартона–Кабреры–Ван дер Мерве). Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в том числе нитридные, фосфидные и арсенидные материалы. Представлен и проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники. Приведены рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации и принципы спинтроники на основе нитридов.