и различных значений «физических параметров», возникающих у различных поколений «элементарных частиц».
3. Образование поколений «системных элементарных частиц».
Одинаково направленные воздействия прото-частиц от эпицентра распада «сверхплотного образования», будет вызывать у «контактных структур» одинаково направленные прецессионные вращения, у которых, в свою очередь, будут возникать «индукционные излучения» собственных прото-частиц, под действием которых будет происходить линейное сближение «контактных структур» в направлении друг к другу.
Определяющим фактором дальнейшего образования компактных структур из этих «контактных структур» будут являться малые величины их «относительных скоростей» между собой.
И теперь такие соединения, состоящие из «контактных структур», можно определить, как «первое поколение системных элементарных частиц».
В соответствии с принципом формировании «системных элементарных частиц первого поколения», их структуры должны состоять из «контактных структур», которые под действием центробежных сил, должны излучаться элементарными частицами «первого поколения» в окружающее пространство.
И теперь они («контактные структуры») для элементарных частиц первого поколения, функционально, становятся их «энергетическими переносчиками».
«Магнитные взаимодействия» элементарных частиц «первого поколения» между собой, приводят к формированию структур элементарных частиц «второго поколения», а элементарные частицы первого поколения, в свою очередь, становятся их энергетическими переносчиками и т. д.
///Для электронов, состоящих из фотонов, такими энергетическими переносчиками являются их «структурные фотоны», которые излучаются электронами под действием центробежных сил, от их собственного вращения.///
Магнитные свойства и единый алгоритм образования структур «элементарных частиц» приводят к образованию функционально одинаковых структур элементарных частиц всех поколений, которые происходят по единому энергетическому принципу:
Под воздействием «элементарных частиц предыдущего поколения» на «элементарные частицы исходного поколения» образуются «элементарные частицы следующего поколения».
Таким образом, структура каждого следующего поколения «элементарных частиц» должна включать в себя элементарные частицы всех предыдущих поколений, что определяет ярко выраженный «иерархический характер» построения структур «системных элементарных частиц».
Центробежные силы, возникающие от собственного вращения элементарных частиц, становятся тем «калибровочным фактором», который определит у элементарных частиц каждого поколения формирование одинаковых значений их параметров: масс, размеров, линейных и угловых скоростей.
Например, из известных сейчас структур элементарных частиц следует, что после образования структур