Ибратжон Хатамович Алиев

Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал


Скачать книгу

карамович Абдурахмонов

      Экономический директор Ботирали Рустамович Жалолов

      Редактор Миродилжон Хомуджонович Баратов

      Редактор Гулчехра Ғуламжановна Ғаффарова

      Иллюстратор Ибратжон Хатамович Алиев

      Иллюстратор Фарходжон Анваржонович Иброхимов

      Дизайнер обложки Раънохон Мукарамовна Алиева

      Корректор Гулноза Мухтаровна Собирова

      Корректор Дилноза Орзиқуловна Норбоева

      Модератор Фарходжон Анваржонович Иброхимов

      © Ибратжон Хатамович Алиев, 2024

      © Салим Мадрахимович Отажонов, 2024

      © L. Garrido-Gómeza, 2024

      © J. P. Fernández-Garcíaa, 2024

      © A. Vegas-Díaza, 2024

      © B. Fernándeza, 2024

      © F. J. Ferrera, 2024

      © D. Lopez-Airesc, 2024

      © Иномжон Уктамович Билалов, 2024

      © Фарходжон Анваржонович Иброхимов, 2024

      © Kibriyo Sabriddinova, 2024

      © Жамолиддин Хусанов, 2024

      © Oybek Tohir o‘g‘li Berkinov, 2024

      © Avazbek Abdurashid o‘g‘li Yuldoshev, 2024

      © Дилноза Oрзиқуловна Норбоева, 2024

      © Ибратжон Хатамович Алиев, иллюстрации, 2024

      © Фарходжон Анваржонович Иброхимов, иллюстрации, 2024

      © Раънохон Мукарамовна Алиева, дизайн обложки, 2024

      ISBN 978-5-0065-1875-9 (т. 10)

      ISBN 978-5-0065-0531-5

      Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

      ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

      О ВЫВЕДЕНИИ УРАВНЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, ОКСИДА КРЕМНИЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

      УДК: 519.712 / 53.023

      Отажонов Салим Мадрахимович1, Алиев Ибратжон Хатамович2

      1Ферганский государственный университет, 150100, Республика Узбекистан, Ферганская обл., г. Фергана, 2НИИ «ФРЯР», 151100, Республика Узбекистан, Ферганская обл., г. Фергана

      Аннотация. В статье представлено исследование по выведению общего динамического уравнения электропроводности с учётом дополнительных внешних факторов с созданием различного стороннего поля. Также представлен наглядный пример на основе полупроводников CdTe и Si, организующие единый элемент. Для вывода соответствующего уравнения затронут метод непосредственного выведения уравнения теплопроводности от частичного прообраза уравнения Гельмгольца с последующим его сведением от уравнения Лапласа в электростатическом моделировании. В заключении приводиться само уравнение, граничные условия по указанной модели и эмпирические данные полученные при реализации модели.

      Ключевые слова: электростатика и теория электромагнетизма, электропроводность, уравнение Лапласа, динамическое дифференциальное уравнение в частных производных.

      Введение

      Увеличение разнообразия имеющихся материалов с различными проводящими свойствами, переменной концентрацией свободных зарядов в них различного характера открывает большие возможности перед современной технической наукой. Среди числа подходящий под выше представленное определение попадают полупроводники с различной структурой, с использованием легирования на смежных материалах [1—2; 11]. Вместе с этим, существует также технология использования полупроводников для создания одноимённых элементов, где также может выступать кремний, с его примесями, среди которых может выступать чистый кристаллический кремний, смесь кремния и бора, кремния и фосфора, а также прочие комбинации полупроводников [2—4; 7—12; 15—16].

      При использовании нескольких элементов типа p-n, n-p, p-n-p и n-p-n необходимо моделировать ситуацию, которая могла бы описывать выбранный случай при помощи соответствующих уравнений. На сегодняшний день активно применялись эмпирические работы в данном ключе [5—10; 12—16], в том числе с непосредственным использованием систем квантового моделирования, где учитываются эффекты туннелирования, частичного создания запутанных электронов и прочие квантовые эффекты, следующие из известных закономерностей [2; 7—11; 14—15]. Аналогичные работы осуществлялись ранее также в рамках исследований по CdTe-SiO2-Si [2—6; 8] о чём также упоминается в настоящем исследовании. Однако, в каждом из представленных случаев исследование не были исследованы аналитическим образом с применением соответствующих дифференциальных уравнений в частных производных [17—21].

      Известный на данный момент математический аппарат является дискретным, что исключает возможность учёта всех необходимых параметров, благодаря чему образуется проблема, согласно которой могут быть неопределенны слепые зоны в том или ином случае, где анализируется отдельно взятое явление. Исходя из всех указанных утверждений настоящее явление является актуальным.

      Материалы и методы исследования

      В ходе