кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 15. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 16. Третье представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—2 и 10—3 единицы x, y
Рис. 17. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
Рис. 18. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
Рис. 19. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10—5 и 10—6 единицы x, y
В результате смоделированных трёхмерных графиков можно наглядно проследить, что каждый из графиков гладкий и простейший, в отличие от предыдущих двух примеров, где участвовали легированные соединения теллурида кадмия и оксида кремния. В данном случае смоделирован кристаллический чистый кремний, что позволяет получать указанные графики, коррелирующие с действительностью.
Выводы
Исходя из полученных результатов, были сформулированы 3 отдельно взятые модели по теллуриду кадмия, оксиду кремния и кристаллическому кремнию, при этом в каждом из случаев функции представлены в трёхмерном пространстве. Фактически, было бы логичным расположить каждую из функций друг за другом, создав одну единую модель полупроводникового элемента.
Так, в виде максимально дискретно представленного графика, моделирующий весь полупроводниковый элемент может быть представлен сборник всех на данный момент полученных трёхмерных графиков в различных комбинациях, что также соответствует различным комбинациям расположения слоёв полупроводникового элемента. При этом каждая из комбинаций может быть представлена посредством отдельных выборок, где отдельная роль отводиться 2 измерениям, а третья изменяется, соответствуя общей выборке в Табл. 2—4.
Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков
Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков
Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков
При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10—2, 10—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10—5 и 10—6.
Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10—2 и 10—3
В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом